Главная  /  Новости  /   Компании Sony и Micron выпускают новую RRAM объемом 2 Гб

Компании Sony и Micron выпускают новую RRAM объемом 2 Гб

Как известно, энергонезависимая память формата NAND-флеш отличается одним своим существенным недостатком – она отличается предельно низкой устойчивостью к износу. Постоянное снижение топологических норм производстве значительно ускоряет износ таких устройств, при этом стоит отметить тот факт, что эта проблема могла бы решиться при помощи различных типов альтернативной энергонезависимой памяти, однако они, в свою очередь, также имеют определенные недостатки, среди которых в частности стоит выделить слишком низкую плотность записи. Именно по этой причине единственной реальной заменой NAND-флеш является на сегодняшний день резистивная память RRAM. В исполнении от компании НР данная память была названа коммерческим именем мемристор, при этом появление RRAM постоянно все дальше и дальше откладывается.

До этого компания НР при сотрудничестве с SK Hynix собиралась выпустить данную память на базе мемристоров во второй половине 2013 года, однако, несмотря на ожидания многочисленных пользователей, эти планы также были отменены. Помимо всего прочего влияние на выпуск новой технологии оказало то, что передовые производители накопителей, такие как SanDisk и Toshiba, планируют переходить на нее только к 2020 году. Однако резистивная память обязательно должна появиться в виде коммерческих решений уже в будущем 2015 году, и если это все-таки произойдет, то выпуск технологии будет осуществлен компаниями Sony и Micron. Все дело в том, что на конференции IEDM 2014 компании уже продемонстрировали публике рабочий прототип 27-нм 16 Гбит микросхемы RRAM, которая характеризуется великолепным быстродействием.

Работа данного устройства полностью подтвердила все ожидания по поводу характеристик нового стандарта памяти. Скорость чтения новых устройств составила приблизительно 900 Мб/с по сравнению с ожидаемыми 1000 Мб/с, при этом задержки составляли не более 2.3 нс. Скорость записи данного устройства составляет 180 Мб/с при ориентировочном максимуме в 200 Мб/с, а задержки в режиме записи составляли не более 11.7 нс, хотя по расчетам не должны были превышать 10 нс. Таким образом, характеристики становятся все более и более приближенными к скоростям работы, которыми характеризуется взаимодействие с оперативной памятью, при этом стоит отметить, что данная микросхема изначально создавалась с использованием интерфейса DDR RAM, вследствие чего данные устройства могут эффективно использоваться в качестве замены для большинства устройств. Стоит отметить тот факт, что гаджеты и компьютеры, оснащенные такой памятью, могут моментально включаться и выключаться без подгрузки или же потери информации.

	Почему для восстановления данных выбирают нас Storelab — это крупнейшая лаборатория в Москве. Вас обслуживают опытные инженеры, которые знают и любят свою работу. Работаем без предоплат. В любое время с радостью ответим на все ваши вопросы. Звоните круглосуточно: +7 (495) 215-00-24.
	Как проводится диагностика Диагностика бесплатная, проводится на комплексах PC-3000 Express. Далее специалист расскажет вам неисправность, сроки и стоимость работ по восстановлению данных. Если у вас нет возможности приехать к нам - Закажите бесплатную доставку.
	Как к нам проехать Мы находимся в минуте ходьбы от метро Китай-город по адресу: Лубянский проезд 27/1с1, подъезд №8, офис 2404 [ схема проезда ] Время работы: по будням с 9:00 до 18:00. Если вы на машине у нас есть бесплатная парковка.